ફોટો સેલનો એનોડ વોલ્ટેજ અચળ રાખવામાં આવે છે. કેથોડ પર આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ ક્રમશઃ બદલાય છે. તો ફોટો સેલનો ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ $I$ નીચેનામાંથી કયા આલેખ મુજબ બદલાય છે?

નીચેના વિધાનો $A$ અને $B$ ધ્યાનમાં લો અને આપેલા જવાબોમાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
$A$. લક્ષ્ય પદાર્થના ચુસ્ત રીતે બંધાયેલા ઇલેક્ટ્રોન $X$-રે ફોટોનનું પ્રકીર્ણન કરે છે,જેના પરિણામે કોમ્પ્ટન અસર થાય છે.
$B$. ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન સાથે થાય છે.

$500 \, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશનો કિરણપુંજ $1.25 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર આપાત થાય છે,જે $B$ તીવ્રતાના ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં મૂકવામાં આવેલ છે. મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B$ ને લંબ રૂપે ઉત્સર્જિત થતા ઇલેક્ટ્રોન $30 \, cm$ ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર ચાપમાં વળે છે. $B$ નું મૂલ્ય $.... \times 10^{-7} \, T$ છે.
આપેલ છે: $hc = 20 \times 10^{-26} \, J \cdot m$,ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $m_e = 9 \times 10^{-31} \, kg$ અને $e = 1.6 \times 10^{-19} \, C$.

$0.8 c$ ની ઝડપે ગતિ કરતા કણની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ એ ફોટોનની તરંગલંબાઈ જેટલી છે. જો $c$ એ શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ હોય, તો ફોટોનની ઉર્જા અને કણની ગતિ ઉર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

સાપેક્ષ ગતિ (relativistic speed) સાથે ગતિ કરતા પદાર્થ માટે,જો વેગ બમણો કરવામાં આવે,તો

બે સમાંતર ડિસ્કને $L=0.5 \,m$ લંબાઈના સખત સળિયા દ્વારા કેન્દ્રમાં જોડવામાં આવી છે. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ દરેક ડિસ્કમાં વિરુદ્ધ દિશામાં સ્લિટ (કાપો) છે. તટસ્થ અણુઓનો એક બીમ એક ડિસ્ક પર અક્ષીય રીતે અલગ-અલગ વેગ $v$ થી આપાત થાય છે,જ્યારે સિસ્ટમ $600 \,rev/s$ ની કોણીય ઝડપે ફરે છે,જેથી માત્ર ચોક્કસ વેગ ધરાવતા અણુઓ જ બીજા છેડેથી બહાર નીકળે. બીજા છેડેથી બહાર નીકળતા અણુઓની બે સૌથી મોટી ઝડપ ($m/s$ માં) ગણો.