જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $4000 \ \mathring{A}$ થી ઘટાડીને $3600 \ \mathring{A}$ કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ફેરફાર ............. $V$ હશે.

ત્રણ ધાતુઓ $A, B$ અને $C$ ના વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) અનુક્રમે $W_A, W_B$ અને $W_C$ છે. તેઓ ઘટતા ક્રમમાં છે $(W_A > W_B > W_C)$. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા $E_k$ અને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $v$ વચ્ચેનો સાચો આલેખ કયો છે?

આપેલ આલેખમાં બે અલગ-અલગ ધાતુઓ $X$ અને $Y$ માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $\nu$ વિરુદ્ધ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_s$ નો આલેખ દર્શાવેલ છે. જો $\phi_x$ અને $\phi_y$ એ અનુક્રમે $X$ અને $Y$ ના વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) હોય,તો:

$5000 \; \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ $1.9 \; eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ પ્લેટ પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા ............ $eV$ હશે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં, ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા શેના પર આધાર રાખે છે?

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. જ્યારે $3 \lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ તે જ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{V}{6}$ છે. તો તે સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?