એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $1.6 \ eV$ છે. આ ધાતુમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન કરવા માટે જરૂરી પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઈ $\mathring{A}$ માં કેટલી હશે? $(h = 6.6 \times 10^{-34} \ J \cdot s, c = 3 \times 10^8 \ m/s, 1 \ eV = 1.6 \times 10^{-19} \ J)$

$4.25\, eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન જ્યારે ધાતુ $A$ ની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_A\, eV$ અને ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _A}$ છે. $4.70\, eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન દ્વારા બીજી ધાતુ $B$ માંથી મુક્ત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ${T_B} = ({T_A} - 1.50)\, eV$ છે. જો આ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _B} = 2{\lambda _A}$ હોય,તો:

$Zn$ નું કાર્ય વિધેય $4.25 \ eV$ છે. તો થ્રેસોલ્ડ આવૃત્તિ કયા વિદ્યુતચુંબકીય વર્ણપટના વિસ્તારમાં હોય છે?

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?

જો ધાતુની સપાટી પર આપાત થતા પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે, તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પર શું અસર થશે?

જ્યારે $4900 Å$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુ પર પડે છે, ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે $2 \,V$ ના નેગેટિવ પોટેન્શિયલની જરૂર પડે છે. તો, ધાતુનું વર્ક-ફંક્શન આશરે કેટલું હશે ($eV$ માં)? (આપેલ છે: ઇલેક્ટ્રોન પરનો વીજભાર $= 1.602 \times 10^{-19} C$ અને પ્લાન્કનો અચળાંક $= 6.625 \times 10^{-34} Js$)