જ્યારે $4900 Å$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુ પર પડે છે, ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે $2 \,V$ ના નેગેટિવ પોટેન્શિયલની જરૂર પડે છે. તો, ધાતુનું વર્ક-ફંક્શન આશરે કેટલું હશે ($eV$ માં)? (આપેલ છે: ઇલેક્ટ્રોન પરનો વીજભાર $= 1.602 \times 10^{-19} C$ અને પ્લાન્કનો અચળાંક $= 6.625 \times 10^{-34} Js$)

આકૃતિમાં એક પદાર્થ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ વિરુદ્ધ આવૃત્તિ $(\nu)$ નો આલેખ દર્શાવેલ છે. થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

હાઇડ્રોજન જેવા પરમાણુનો પરમાણુ ક્રમાંક $Z$ છે. આ પરમાણુઓમાં $n=4$ થી $n=3$ સ્તરના ઇલેક્ટ્રોનિક સંક્રમણ દરમિયાન ઉત્સર્જિત ફોટોનનો ઉપયોગ લક્ષ્ય ધાતુ પર ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરનો પ્રયોગ કરવા માટે થાય છે. ઉત્પન્ન થયેલા ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિજ ઊર્જા $1.95 \ eV$ છે. જો લક્ષ્ય ધાતુ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $310 \ nm$ હોય,તો $Z$ નું મૂલ્ય શોધો.

એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ માટે,વર્ક ફંક્શન $W_0$ છે અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ કેટલી હશે? ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c=$ પ્રકાશનો વેગ,$e=$ ઇલેક્ટ્રોનિક ચાર્જ)

એક ફોટો-સંવેદી ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય $hv_0$ છે. જો $2hv_0$ ઊર્જાનો ફોટોન આ સપાટી પર આપાત થાય,ત્યારે ઈલેક્ટ્રોન $4 \times 10^6 \, m/s$ ના મહત્તમ વેગ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે. જ્યારે આપાત ફોટોનની ઊર્જા વધારીને $5hv_0$ કરવામાં આવે,ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે?

ધારો કે $v$ એ આપાત ફોટોનની આવૃત્તિ છે અને $v_0$ એ થ્રેસોલ્ડ આવૃત્તિ છે. ફોટો ઇલેક્ટ્રોનના ઉત્સર્જન માટેની શરત શું છે?