એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ માટે,વર્ક ફંક્શન $W_0$ છે અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ કેટલી હશે? ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c=$ પ્રકાશનો વેગ,$e=$ ઇલેક્ટ્રોનિક ચાર્જ)

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં, એક વિદ્યુતચુંબકીય તરંગ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે અને સપાટીમાંથી ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $2.14 \text{ eV}$ હોય અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $2 \text{ V}$ હોય, તો વિદ્યુતચુંબકીય તરંગની તરંગલંબાઈ કેટલી હશે ($\text{ nm}$ માં)? (આપેલ છે: $hc = 1242 \text{ eV nm}$, જ્યાં $h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $c$ એ શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ છે.)

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.5 eV$ છે. જો $3.2 \times 10^{15} Hz$ આવૃત્તિ ધરાવતું વિકિરણ આ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે ($eV$ માં)? (પ્લાન્કનો અચળાંક,$h = 6.6 \times 10^{-34} J-s$)

$1.6 \times 10^7 \ m/s$ ના વેગથી ગતિ કરતા ઇલેક્ટ્રોનની તરંગલંબાઈ $0.4 \ \mathring{A}$ છે. ઇલેક્ટ્રોનની ગતિ માટે જરૂરી પ્રવેગક વોલ્ટેજ કેટલો હશે? (ઇલેક્ટ્રોન પરનો વીજભાર $= 1.6 \times 10^{-19} \ C$,ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} \ kg$)

જ્યારે કોઈ ચોક્કસ પ્રકાશસંવેદી સપાટીને $v$ આવૃત્તિના એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોકરંટ માટેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $-V_0/2$ છે. જ્યારે સપાટીને $v/2$ આવૃત્તિના એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $-V_0$ છે. ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

એક અલગ પડેલો સીસાનો ગોળો $\lambda = 221 \,nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા $EM$ વિકિરણ દ્વારા સતત વિકિરણિત થવાને કારણે ચાર્જ થાય છે। જો તેનું કાર્ય વિધેય (work function) $4.14 \,eV$ હોય, તો સીસાના ગોળા દ્વારા પ્રાપ્ત મહત્તમ સ્થિતિમાન કેટલું હશે ($\,V$ માં)? (લો, $h = 6.63 \times 10^{-34} \,J \cdot s$, $c = 3 \times 10^8 \,m/s$, $e = 1.6 \times 10^{-19} \,C$):