એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.5 eV$ છે. જો $3.2 \times 10^{15} Hz$ આવૃત્તિ ધરાવતું વિકિરણ આ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે ($eV$ માં)? (પ્લાન્કનો અચળાંક,$h = 6.6 \times 10^{-34} J-s$)

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈના એકવર્ણી પ્રકાશ સાથે ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને પ્રકાશિત કરવામાં આવે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માટેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $6V_0$ છે. જ્યારે આ જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ સાથે પ્રકાશિત કરવામાં આવે ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $2V_0$ છે. આ સપાટી માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી છે?

$hf$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન જ્યારે એલ્યુમિનિયમ પ્લેટ (જેનું કાર્ય વિધેય $E_0$ છે) પર આપાત થાય છે,ત્યારે મહત્તમ ગતિઊર્જા $K$ ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો વિકિરણની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી થશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,જ્યારે $\lambda_{0}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે ત્યારે આપેલ ધાતુ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_{0}$ વોલ્ટ છે. જો તે જ ધાતુ માટે $2\lambda_{0}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણનો ઉપયોગ કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ (વોલ્ટમાં) કેટલું થશે? [$e=$ ઈલેક્ટ્રોન પરનો વિદ્યુતભાર,$c=$ પ્રકાશની ઝડપ,$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક.]

જો ફોટોસેલમાંથી ઉત્સર્જિત થતા ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $4 \times 10^8 \, cm/s$ હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ................ $V$ થશે (ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} \, kg$).

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં, ધાતુ પર આપાત થતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $200 \, nm$ થી બદલીને $400 \, nm$ કરવામાં આવે છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ઘટાડો આશરે કેટલો હશે ($ \, V$ માં)? [$hc = 1240 \, eV \cdot nm$ નો ઉપયોગ કરો, જ્યાં $h$ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $c$ પ્રકાશનો વેગ છે].