જો ફોટોસેલમાંથી ઉત્સર્જિત થતા ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $4 \times 10^8 \, cm/s$ હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ................ $V$ થશે (ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} \, kg$).

$400\,nm$ તરંગલંબાઈ અને $1.55\,mW$ પાવર ધરાવતા પ્રકાશના કિરણપુંજને ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલના કેથોડ પર આપાત કરવામાં આવે છે. જો આપાત ફોટોનમાંથી માત્ર $10\%$ ફોટોન અસરકારક રીતે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરતા હોય,તો આ ઈલેક્ટ્રોનને કારણે મળતો પ્રવાહ $\mu A$ માં શોધો. (આપેલ છે: $hc = 1240\,eV\cdot nm$,$e = 1.6 \times 10^{-19}\,C$)

જ્યારે ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) વધે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા:

જ્યારે આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $E$ છે. જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ ઘટાડીને $\frac{\lambda}{3}$ કરવામાં આવે,તો મહત્તમ ગતિઊર્જા $4E$ થાય છે. તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે?

ધાતુ $A, B$ અને $C$ ના વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $1.92 \ eV, 2.0 \ eV$ અને $5 \ eV$ છે. આઈન્સ્ટાઈનના ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ મુજબ,$4100 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે ત્યારે કઈ ધાતુ(ઓ) ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરશે?

એક ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $1 \; eV$ છે. $3000 \; \mathring{A}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતો પ્રકાશ આ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો વેગ કેટલો હશે?