જ્યારે ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) વધે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા:

$V_0 - \nu$ આલેખનો ઢાળ શું છે? તેનું સમીકરણ લખો. વળી,તે દ્રવ્યના પ્રકાર પર આધાર રાખે છે કે નહીં તે જણાવો.

જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલમાં આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $4000 \mathring A$ થી બદલીને $3000 \mathring A$ કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ફેરફાર ..... $V$ હશે.

એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ માટે,વર્ક ફંક્શન $W_0$ છે અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ કેટલી હશે? ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c=$ પ્રકાશનો વેગ,$e=$ ઇલેક્ટ્રોનિક ચાર્જ)

જ્યારે કોઈ ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને $v$ આવૃત્તિના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માટેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_s$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $v/2$ આવૃત્તિના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_s/4$ છે. ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

જો સોડિયમ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5420 \mathring{A}$ હોય,તો સોડિયમનું વર્ક ફંક્શન ............ $eV$ છે.