જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલમાં આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $4000 \mathring A$ થી બદલીને $3000 \mathring A$ કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ફેરફાર ..... $V$ હશે.

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,કલેક્ટર પ્લેટ કોપર $(\phi = 4.5\,eV)$ થી બનેલી એમિટર પ્લેટની સાપેક્ષમાં $2.0\,V$ પર છે. એમિટરને $200\,nm$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા મોનોક્રોમેટિક પ્રકાશના સ્ત્રોત દ્વારા પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે.

સોડિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.3 eV$ છે. સોડિયમ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ ........... $\mathring A $ હશે.

આર્ગોન લેસર દ્વારા ઉત્પન્ન થયેલ $488 \, nm$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા પ્રકાશનો ઉપયોગ ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર માટે કરવામાં આવે છે। જ્યારે આ વર્ણપટ રેખાનો પ્રકાશ કેથોડ પર આપાત થાય છે, ત્યારે ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.38 \, V$ છે। કેથોડ મટીરીયલનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($ \, eV$ માં)?

જ્યારે કોઈ ચોક્કસ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી લઘુત્તમ પોટેન્શિયલ $6.0 \ V$ છે. જો બીજા સ્ત્રોતનો ઉપયોગ કરવામાં આવે જેની તરંગલંબાઈ પ્રથમ કરતા ચાર ગણી અને તીવ્રતા પ્રથમ કરતા અડધી હોય,તો આ પોટેન્શિયલ ઘટીને $0.6 \ V$ થઈ જાય છે. પ્રથમ સ્ત્રોતની તરંગલંબાઈ અને ધાતુનું વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે કેટલું હશે? $\left[\text{લો } hc = 1.24 \times 10^{-6} \ eV \ m\right]$

એક ધાતુની સપાટી પર આપાત થતા બે વિકિરણોની ઉર્જા તે ધાતુના વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કરતા અનુક્રમે બે ગણી અને દસ ગણી છે,જે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરે છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર શોધો.