$hf$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન જ્યારે એલ્યુમિનિયમ પ્લેટ (જેનું કાર્ય વિધેય $E_0$ છે) પર આપાત થાય છે,ત્યારે મહત્તમ ગતિઊર્જા $K$ ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો વિકિરણની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી થશે?

એક ધાતુ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $6500 \mathring{A}$ છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન આશરે .......... $eV$ છે.

જો $Na$ ધાતુનું કાર્ય વિધેય $2.3 \ eV$ હોય,તો તેની થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ $EM$ વર્ણપટના કયા પ્રદેશમાં આવશે?

નિકલનું વર્ક ફંક્શન $5 \text{ eV}$ છે. જ્યારે $2000 \text{ Å}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ તેના પર પડે છે,ત્યારે તે ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ તફાવત કેટલો હશે ($\text{ V}$ માં)? (આપેલ છે: $h = 6.67 \times 10^{-34} \text{ J-s}$)

બે ધાતુઓ $A$ અને $B$ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ અનુક્રમે $400 \ nm$ અને $800 \ nm$ છે. તેમના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર,$\phi_{A} : \phi_{B}$ કેટલો થાય?

ધાતુની સપાટી પરથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનના પ્રયોગમાં,આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $2 \times 10^{-7} \,m$ છે અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $2.5 \,V$ છે. ધાતુની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ($Hz$ માં) આશરે કેટલી હશે? (ઈલેક્ટ્રોનનો વીજભાર $e=1.6 \times 10^{-19} \,C$,પ્લાન્કનો અચળાંક $h=6.6 \times 10^{-34} \,J-s$)