જો $Na$ ધાતુનું કાર્ય વિધેય $2.3 \ eV$ હોય,તો તેની થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ $EM$ વર્ણપટના કયા પ્રદેશમાં આવશે?

એક પ્રકાશનો સ્ત્રોત ફોટોસેલથી $20 \ cm$ અંતરે મૂકવામાં આવે છે અને માપેલ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.6 \ V$ છે. જો સ્ત્રોતનું અંતર બદલીને $40 \ cm$ કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ માં કેટલું હશે?

સીઝિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.14\, eV$ છે. જો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.60\, V$ દ્વારા ફોટો કરંટ શૂન્ય કરવામાં આવે,તો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ શોધો. (પરિણામ $nm$ માં)

$1.8 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન ધરાવતા પ્રકાશના કિરણો $1.2 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $eV$ માં કેટલું હશે?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$ : પ્રકાશની આવૃત્તિ વધવાથી ફોટોનની સંખ્યા વધે છે.
કારણ $R$ : ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ સાથે વધે છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો:

જ્યારે ધાતુના ટુકડાને $\lambda$ તરંગલંબાઇના એકવર્ણી પ્રકાશથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3 V_{s}$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $2 \lambda$ તરંગલંબાઇના પ્રકાશથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_{s}$ થાય છે. ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇનું મૂલ્ય કેટલું હશે?