$1.8 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન ધરાવતા પ્રકાશના કિરણો $1.2 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $eV$ માં કેટલું હશે?

બે ધાતુઓ $A$ અને $B$ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ અનુક્રમે $400 \ nm$ અને $800 \ nm$ છે. તેમના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર,$\phi_{A} : \phi_{B}$ કેટલો થાય?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,$Y$-અક્ષ પર સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અને $X$-અક્ષ પર આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ લઈને આલેખ દોરવામાં આવે છે. જો આલેખ એક સીધી રેખા હોય જે $Y$-અક્ષ સાથે $\theta$ ખૂણો બનાવે છે,તો $\tan \theta=$ ($h$-પ્લાન્કનો અચળાંક,$e$-ઈલેક્ટ્રોનનો વીજભાર).

આપેલ આલેખમાં બે અલગ-અલગ ધાતુઓ '$P$' અને '$Q$' માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(\nu)$ વિરુદ્ધ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_{s})$ નો આલેખ દર્શાવેલ છે. જો $\phi_{P}$ અને $\phi_{Q}$ એ અનુક્રમે '$P$' અને '$Q$' ધાતુઓના વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) હોય,તો નીચેનામાંથી કયું સાચું છે?

ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ઋણ કેમ હોઈ શકે નહીં?

જ્યારે એકવર્ણી પ્રકાશનો બિંદુવત સ્ત્રોત ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $0.2 \ m$ ના અંતરે હોય,ત્યારે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ અને સંતૃપ્ત પ્રવાહ અનુક્રમે $0.6 \ V$ અને $18 \ mA$ છે. જો તે જ સ્ત્રોતને ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $0.6 \ m$ દૂર મૂકવામાં આવે,તો: