$1.8 \ eV$ ऊर्जा वाले फोटॉन युक्त प्रकाश किरणें $1.2 \ eV$ कार्य फलन वाली धातु की सतह पर गिर रही हैं। उत्सर्जित इलेक्ट्रॉनों को रोकने के लिए आवश्यक निरोधी विभव (stopping potential) $eV$ में क्या है?

  • A
    $3$
  • B
    $1.2$
  • C
    $0.6$
  • D
    $1.4$

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$5000 \, Å$ तरंगदैर्ध्य वाले प्रकाश की तीव्रता $I$ के लिए, फोटोइलेक्ट्रॉन संतृप्ति धारा $0.40 \, μA$ है और निरोधी विभव (stopping potential) $1.36 \, V$ है। धातु का कार्य फलन (work function) ........... $eV$ है।

एक निश्चित धात्विक सतह को $\lambda$ तरंगदैर्ध्य के एकवर्णी प्रकाश से प्रकाशित किया जाता है। इस प्रकाश के लिए फोटो-इलेक्ट्रिक धारा का निरोधी विभव (stopping potential) $3V_0$ है। यदि उसी सतह को $2\lambda$ तरंगदैर्ध्य के प्रकाश से प्रकाशित किया जाता है,तो निरोधी विभव $V_0$ है। इस सतह के लिए फोटो-इलेक्ट्रिक प्रभाव की देहली तरंगदैर्ध्य (threshold wavelength) क्या है?

जब प्रकाश किसी सतह पर आपतित होता है,तो फोटोइलेक्ट्रॉन उत्सर्जित होते हैं। इन फोटोइलेक्ट्रॉनों के लिए:

फोटोसेल पर आपतित प्रकाश की तरंगदैर्घ्य $400 \ nm$ और $250 \ nm$ है। उत्सर्जित फोटो-इलेक्ट्रॉन का वेग क्रमशः $v$ और $2v$ है। धातु का कार्य फलन (work function) क्या होगा?

Difficult
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$1 \,W$ शक्ति के बिंदु स्रोत से $1 \,m$ की दूरी पर एक कोबाल्ट $(Co)$ प्लेट रखी गई है। मान लीजिए कि प्लेट का $r = 1 \,Å$ त्रिज्या वाला एक वृत्ताकार क्षेत्र विकिरण के संपर्क में है और फोटो-इलेक्ट्रॉन उत्सर्जित करता है। प्रकाश ऊर्जा को समान रूप से फैला हुआ माना जाता है और कोबाल्ट का कार्य फलन (work function) $5 \,eV$ है। फोटो-इलेक्ट्रॉन उत्सर्जित करने के लिए लक्ष्य को प्रकाश स्रोत के संपर्क में कितने न्यूनतम समय के लिए रखा जाना चाहिए (यह मानते हुए कि कोई परावर्तन हानि नहीं है) ($\,s$ में)?

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