એક ધાતુ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $6500 \mathring{A}$ છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન આશરે .......... $eV$ છે.

જ્યારે $300 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જક પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. બીજા ઉત્સર્જક માટે $600 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટો-ઉત્સર્જન માટે પૂરતો છે. બે ઉત્સર્જકોના કાર્ય વિધેય (work function) નો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

એક ઇલેક્ટ્રોન અને પ્રોટોન એકબીજાથી ઘણા દૂર છે। ઇલેક્ટ્રોન $3 \, eV$ ની ગતિઊર્જા સાથે પ્રોટોન તરફ ગતિ કરવાનું શરૂ કરે છે। પ્રોટોન ઇલેક્ટ્રોનને પકડી લે છે અને હાઇડ્રોજન પરમાણુને બીજી ઉત્તેજિત અવસ્થામાં બનાવે છે। પરિણામી ફોટોન $4000 \, Å$ ની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ ધરાવતી પ્રકાશસંવેદનશીલ ધાતુ પર આપાત થાય છે। ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે? ($eV$ માં)

જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $60\%$ ઘટાડવામાં આવે,તો $K_{max}$ $5\,eV$ થી બદલાઈને $17\,eV$ થાય છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન ............. $eV$ છે.

એક ચોક્કસ તરંગલંબાઇના $X$-કિરણોનો ઉપયોગ કરીને બે અલગ-અલગ પ્રયોગોમાં સોડિયમ અને કોપરની સપાટી પર આપાત કરવામાં આવે છે અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ નક્કી કરવામાં આવે છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ

$\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત થવાથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? [$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$m=$ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ અને $c=$ પ્રકાશની ઝડપ]