એક અલગ પડેલો સીસાનો ગોળો $\lambda = 221 \,nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા $EM$ વિકિરણ દ્વારા સતત વિકિરણિત થવાને કારણે ચાર્જ થાય છે। જો તેનું કાર્ય વિધેય (work function) $4.14 \,eV$ હોય, તો સીસાના ગોળા દ્વારા પ્રાપ્ત મહત્તમ સ્થિતિમાન કેટલું હશે ($\,V$ માં)? (લો, $h = 6.63 \times 10^{-34} \,J \cdot s$, $c = 3 \times 10^8 \,m/s$, $e = 1.6 \times 10^{-19} \,C$):

એક પદાર્થનું કાર્ય વિધેય $4.0 \ eV$ છે. પ્રકાશની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ કે જે આ પદાર્થમાંથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરાવી શકે,તેનું આશરે મૂલ્ય ............ $nm$ છે.

મહત્તમ ગતિઊર્જા $(E)$ અને આપાત વિકિરણની તીવ્રતા $(I)$ વચ્ચેના રેખાઓ $P, Q, R$ અને $S$ દર્શાવતા ચાર આલેખમાંથી કયો આલેખ સાચો છે?

એક ચોક્કસ ધાતુ માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $3.3 \times 10^{14} \;Hz$ છે. જો $8.2 \times 10^{14} \;Hz$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુ પર આપાત કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ ($eV$ માં) શોધો.

$4.25 \, eV$ ઊર્જા ધરાવતો ફોટોન જ્યારે ધાતુ $A$ ની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_A \, eV$ અને ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _A}$ છે. $4.70 \, eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન દ્વારા બીજી ધાતુ $B$ માંથી મુક્ત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_B = (T_A - 1.50) \, eV$ છે. જો આ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _B} = 2{\lambda _A}$ હોય,તો:

નીચેનો આલેખ આપેલ ધાતુ માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(v)$ સાથે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલના ફેરફારને દર્શાવે છે. સાચો આલેખ કયો છે? [$v_0 =$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ].