જ્યારે $hv$ ઊર્જાનો ફોટોન એલ્યુમિનિયમની પ્લેટ (કાર્ય વિધેય $E_0$) પર આપાત થાય છે,ત્યારે મહત્તમ ગતિ ઊર્જા $K$ ધરાવતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જ્યારે $2hv$ ઊર્જાનો ફોટોન તે જ એલ્યુમિનિયમની પ્લેટ પર આપાત થાય ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા કેટલી હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેવી રીતે બદલાય છે?

બે સમાન ફોટો-કેથોડ $f_1$ અને $f_2$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ મેળવે છે. જો બહાર આવતા ફોટો-ઇલેક્ટ્રોન (દળ $m$) ના વેગ અનુક્રમે $v_1$ અને $v_2$ હોય,તો:

જ્યારે $300 \, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો $UV$ પ્રકાશ $2.13 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે, ત્યારે ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થાય છે। સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($ \, V$ માં)? (આપેલ છે: $hc = 1240 \, eV \cdot nm$)

આકૃતિમાં ત્રણ અલગ-અલગ ધાતુઓ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ વિરુદ્ધ $(1/\lambda)$ નો આલેખ દર્શાવેલ છે. જો $\phi$ એ કાર્ય વિધેય હોય,તો નીચેનામાંથી કયું સાચું છે?

એક ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. આ પ્રકાશ માટે ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક પ્રવાહનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3V_0$ છે. જો તે જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ મળે છે. આ સપાટી માટે ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક અસરની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?