ફોટો ઇલેક્ટ્રિક અસર માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વચ્ચેના આલેખનો ઢાળ . . . . . . હોય છે.

$491\, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત ફોટોસેન્સિટિવ સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.710\, V$ છે. જ્યારે આપાત તરંગલંબાઈ બદલીને નવી કિંમત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.43\, V$ થાય છે. નવી તરંગલંબાઈ ....... $nm$ છે.

જો $6.2 eV$ ના અલ્ટ્રાવાયોલેટ વિકિરણો એલ્યુમિનિયમની સપાટી પર આપાત થાય,તો ઉત્સર્જિત થતા સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા કેટલી હશે? (વર્ક-ફંક્શન $= 4.2 eV$)

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,$\lambda$ અને $\frac{\lambda}{2}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા આપાત પ્રકાશ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અનુક્રમે $V_{1}$ અને $V_{2}$ માપવામાં આવ્યું હતું. $V_{1}$ અને $V_{2}$ વચ્ચેનો સંબંધ શું છે?

જ્યારે પ્રકાશસંવેદી સપાટી પર $\lambda_{1}$ અને $\lambda_{2}$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા અનુક્રમે $E_{1}$ અને $E_{2}$ છે. પ્રકાશસંવેદી સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે?

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈમાં $50 \%$ નો ઘટાડો કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રારંભિક મહત્તમ ગતિઊર્જા કરતા $3$ ગણી થાય છે. પદાર્થનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) શોધો ($h$ - પ્લાન્કનો અચળાંક,$c$ - શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ).