એક ઉત્સર્જક સપાટી પર આપાત થતા એકરંગી પ્રકાશની આવૃત્તિ $f$ છે. જો સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $f_0$ હોય,તો ઉત્સર્જાતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ....... છે.

$4000 \, \mathring{A}$ ની આપાત વિકિરણ માટેના ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,ઉત્સર્જન અટકાવવા માટેનો પોટેન્શિયલ તફાવત $2 \, V$ છે. જો આપાત પ્રકાશને બદલીને $3000 \, \mathring{A}$ કરવામાં આવે,તો ઈલેક્ટ્રોનના ઉત્સર્જનને અટકાવવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ કેટલો હશે?

બે અલગ-અલગ ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીઓ $A$ અને $B$ માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિના વિધેય તરીકે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલનો આલેખ દોરવામાં આવ્યો છે. આલેખ દર્શાવે છે કે $A$ નું વર્ક ફંક્શન

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં, ધાતુ પર આપાત થતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $200 \, nm$ થી બદલીને $400 \, nm$ કરવામાં આવે છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ઘટાડો આશરે કેટલો હશે ($ \, V$ માં)? [$hc = 1240 \, eV \cdot nm$ નો ઉપયોગ કરો, જ્યાં $h$ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $c$ પ્રકાશનો વેગ છે].

$4.25\, eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન જ્યારે ધાતુ $A$ ની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_A\, eV$ અને ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _A}$ છે. $4.70\, eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન દ્વારા બીજી ધાતુ $B$ માંથી મુક્ત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ${T_B} = ({T_A} - 1.50)\, eV$ છે. જો આ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _B} = 2{\lambda _A}$ હોય,તો:

$8\,eV$ ઉર્જા ધરાવતો એક ફોટોન $1.6 \times 10^{15}\,Hz$ ની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા .......... $eV$ છે.
(લો $h = 6.6 \times 10^{-34}\,J\cdot s$; $1\,eV = 1.6 \times 10^{-19}\,J$)