$4000 \, \mathring{A}$ ની આપાત વિકિરણ માટેના ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,ઉત્સર્જન અટકાવવા માટેનો પોટેન્શિયલ તફાવત $2 \, V$ છે. જો આપાત પ્રકાશને બદલીને $3000 \, \mathring{A}$ કરવામાં આવે,તો ઈલેક્ટ્રોનના ઉત્સર્જનને અટકાવવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ કેટલો હશે?

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $2 \ \text{eV}$ છે. જો તેના પર $3000 \ \text{Å}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતું વિકિરણ આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h=6.6 \times 10^{-34} \ \text{Js}$; પ્રકાશનો વેગ $c=3 \times 10^8 \ \text{m/s}$; $1 \ \text{eV}=1.6 \times 10^{-19} \ \text{J}$)

પ્રકાશના કિરણપુંજમાં ત્રણ તરંગલંબાઈઓ $4144 \,\mathring A$,$4972 \,\mathring A$ અને $6216 \,\mathring A$ છે,જેની કુલ તીવ્રતા $3.6 \times 10^{-5} \, W/m^2$ છે અને તે ત્રણેય તરંગલંબાઈઓ વચ્ચે સમાન રીતે વહેંચાયેલી છે. આ કિરણપુંજ $2.3 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી શુદ્ધ ધાતુની સપાટીના $1 \, cm^2$ ક્ષેત્રફળ પર લંબરૂપે પડે છે. ધારો કે પરાવર્તન દ્વારા પ્રકાશનો કોઈ વ્યય થતો નથી અને દરેક ઉર્જાવાન ફોટોન એક ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. $2 \, s$ માં મુક્ત થતા ફોટોઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યાની ગણતરી કરો.

ટંગસ્ટન માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $2300\; \mathring{A}$ છે. $1800\; \mathring{A}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ દ્વારા સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $.............\,eV$ છે.

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?

એક ધાતુનું વર્કફંકશન $1 \ eV$ છે. જો આ ધાતુની સપાટી પર $3000 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈવાળો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે, તો ઉત્સર્જાતા ફોટોઈલેક્ટ્રૉનનો મહત્તમ વેગ ........ છે.