$4000 \, \mathring{A}$ आपतित विकिरण के लिए एक प्रकाश-विद्युत प्रयोग में,उत्सर्जन को रोकने के लिए आवश्यक विभवांतर $2 \, V$ है। यदि आपतित प्रकाश को बदलकर $3000 \, \mathring{A}$ कर दिया जाए,तो इलेक्ट्रॉनों के उत्सर्जन को रोकने के लिए आवश्यक विभव होगा

$5.01 \, eV$ कार्य फलन वाली निकल सतह पर जब $200 \, nm$ का पराबैंगनी प्रकाश आपतित होता है,तो उत्सर्जित सबसे तेज़ फोटोइलेक्ट्रॉनों को रोकने के लिए आवश्यक विभवांतर ............... $V$ होना चाहिए।

जब किसी धात्विक सतह को $\lambda$ तरंगदैर्ध्य के एकवर्णी प्रकाश से प्रकाशित किया जाता है,तो प्रकाश-विद्युत धारा के लिए निरोधी विभव (stopping potential) $3V_0$ है। जब उसी सतह को $2\lambda$ तरंगदैर्ध्य के प्रकाश से प्रकाशित किया जाता है,तो निरोधी विभव $V_0$ है। इस सतह के लिए प्रकाश-विद्युत प्रभाव की देहली तरंगदैर्ध्य (threshold wavelength) क्या है?

प्रकाश-विद्युत प्रभाव (photoelectric effect) के प्रयोग में, अन्य कारकों को स्थिर रखते हुए आपतित विकिरण की आवृत्ति बढ़ाई जाती है $(f > f_0)$। तो निरोधी विभव (stopping potential)

प्रकाश-विद्युत प्रभाव प्रयोग के संबंध में निम्नलिखित कथनों पर विचार करें:
$(I)$ धातु पर प्रकाश पड़ते ही फोटोइलेक्ट्रॉन उत्सर्जित हो जाते हैं।
$(II)$ एक न्यूनतम आवृत्ति होती है जिसके नीचे कोई फोटो-करंट नहीं देखा जाता है।
$(III)$ निरोधी विभव (stopping potential) प्रकाश की आवृत्ति के समानुपाती होता है।
$(IV)$ फोटो-करंट प्रकाश की तीव्रता के साथ रैखिक रूप से बदलता है।
उपरोक्त में से कौन से कथन यह दर्शाते हैं कि प्रकाश क्वांटा (फोटॉन) से बना है जिनकी ऊर्जा आवृत्ति के समानुपाती होती है?

फोटोइलेक्ट्रॉन के लिए निरोधी विभव (stopping potential):