ધાતુ પરથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક અસર માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $200 \ nm$ છે. જ્યારે $100 \ nm$ તરંગલંબાઈનું વિકિરણ ધાતુ પર આપાત થાય ત્યારે ઉત્સર્જાતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા .......... $eV$ હશે.

જ્યારે $1 \ W/m^2$ તીવ્રતા અને $5 \times 10^{-7} \ m$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય છે, ત્યારે તેનું સંપૂર્ણ શોષણ થાય છે. જો $100$ ફોટોન એક ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરતા હોય અને સપાટીનું ક્ષેત્રફળ $1 \ cm^2$ હોય, તો ફોટોઇલેક્ટ્રિક પ્રવાહ કેટલો હશે?

એક ચોક્કસ ધાતુ માટે વર્ક ફંક્શન $4.2 \; eV$ છે. શું આ ધાતુ $330 \; nm$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા આપાત વિકિરણ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન આપશે?

પ્રકાશ એક ધાતુની સપાટી પર અથડાય છે, જેના કારણે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન થાય છે. આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $248 \, nm$ છે. જો ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $2.8 \, eV$ હોય, તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($ \, eV$ માં)? ($hc = 1240 \, eV \cdot nm$ લો).

એક પદાર્થનું કાર્ય વિધેય (work function) $4.0 \,eV$ છે. આ પદાર્થમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જન કરી શકે તેવી પ્રકાશની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ આશરે ......... $nm$ છે.

$v$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ એક નિશ્ચિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ પર આપાત થાય છે,જેની થ્રેશોલ્ડ (દહેલી) આવૃત્તિ $v_0$ છે. પદાર્થ માટે કાર્ય વિધેય (Work Function) શું છે?