એક પદાર્થનું કાર્ય વિધેય (work function) $4.0 \,eV$ છે. આ પદાર્થમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જન કરી શકે તેવી પ્રકાશની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ આશરે ......... $nm$ છે.

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં ઉત્તેજિત તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો ઉત્તેજિત તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?

આપાત ફોટોન તરંગલંબાઈ $\lambda$ સાથેના ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે,સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ છે. $V_0$ નો $\lambda$ અને $1/\lambda$ સાથેનો સાચો ફેરફાર ઓળખો.

જ્યારે $v$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. આનું કારણ એ છે કે...

ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $4.8 \ m/s$ છે. જો ઈલેક્ટ્રોનનો $e/m$ ગુણોત્તર $1.76 \times 10^{11} \ C/kg$ હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ...... છે.

વિધાન : જો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) ઓછું હોય તો તેની ફોટોસેન્સિટિવિટી વધારે હોય છે.
કારણ : વર્ક ફંક્શન $= hf_0$ જ્યાં $f_0$ એ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ છે.