એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં ઉત્તેજિત તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો ઉત્તેજિત તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?

બે સમાન કેપેસિટર આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ગોઠવેલા છે. પ્લેટ $1$ નું વર્ક ફંક્શન $\phi \ eV$ છે. બેટરીનું $emf$ $\frac{\phi}{e}$ છે. જો આપાત ફોટોનની ઉર્જા $hv$ હોય,તો પ્લેટ $2$ પર પહોંચતા $e^-$ ની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા કેટલી હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર દર્શાવતી આકૃતિ પરથી આપણે યોગ્ય રીતે શું અનુમાન લગાવી શકીએ?

$4000 \, \mathring{A}$ ની આપાત વિકિરણ માટેના ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,ઉત્સર્જન અટકાવવા માટેનો પોટેન્શિયલ તફાવત $2 \, V$ છે. જો આપાત પ્રકાશને બદલીને $3000 \, \mathring{A}$ કરવામાં આવે,તો ઈલેક્ટ્રોનના ઉત્સર્જનને અટકાવવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ કેટલો હશે?

જ્યારે આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $v$ થી બદલાઈને $\frac{3v}{2}$ થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ બમણું થાય છે. તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે?

નિયોન લેમ્પમાંથી $640.2 \;nm$ $(1 \;nm = 10^{-9} \;m)$ તરંગલંબાઈ ધરાવતું એકવર્ણી વિકિરણ ટંગસ્ટન પર સીઝિયમથી બનેલી પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટી પર આપાત થાય છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.54 \;V$ માપવામાં આવે છે. સ્ત્રોતને બદલીને આયર્ન સ્ત્રોત મૂકવામાં આવે છે અને તેની $427.2 \;nm$ ની રેખા તે જ ફોટો-સેલ પર આપાત થાય છે. નવું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ($V$ માં) શોધો. ($;V$ માં)