ધાતુની સપાટી પરથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટે થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5200 \ \mathring A$ છે. નીચેનામાંથી કયો સ્ત્રોત આ સપાટી પરથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન પ્રેરી શકશે?

$\phi_0$ વર્ક-ફંક્શન ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રિક પદાર્થ પર $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે (જ્યાં $\lambda < \frac{hc}{\phi_0}$). સૌથી ઝડપી ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_d$ છે. આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈમાં $\Delta \lambda$ જેટલો ફેરફાર થવાથી $\lambda_d$ માં $\Delta \lambda_d$ જેટલો ફેરફાર થાય છે. તો ગુણોત્તર $\frac{\Delta \lambda_d}{\Delta \lambda}$ કોના સમપ્રમાણમાં છે?

એક ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $h \nu_0$ છે. $\nu$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આ ધાતુ પર આપાત થાય છે. ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર ત્યારે જ થશે જો

ટંગસ્ટનમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $400 \ nm$ છે. $0.9 \ eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા ધરાવતા ઈલેક્ટ્રોનને ઉત્સર્જિત કરવા માટે કઈ તરંગલંબાઈના પ્રકાશનો ઉપયોગ કરવો જોઈએ? .............. $nm$.

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિકિરણ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $4.8 \ V$ છે. જો તે જ સપાટીને બમણી તરંગલંબાઈના વિકિરણથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.6 \ V$ થાય છે. તો,સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં, ધાતુ પર આપાત થતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $200 \, nm$ થી બદલીને $400 \, nm$ કરવામાં આવે છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ઘટાડો આશરે કેટલો હશે ($ \, V$ માં)? [$hc = 1240 \, eV \cdot nm$ નો ઉપયોગ કરો, જ્યાં $h$ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $c$ પ્રકાશનો વેગ છે].