एक पदार्थ का कार्य फलन (work function) $4.0 \ eV$ है। पदार्थ से फोटो-इलेक्ट्रॉन के उत्सर्जन के लिए प्रकाश की अधिकतम तरंगदैर्ध्य ............ $nm$ है।

$557 \ nm$ तरंगदैर्ध्य का पीला प्रकाश एक सीज़ियम सतह पर आपतित होता है। जब कैथोड-एनोड वोल्टेज $0.25 \ V$ से कम हो जाता है,तो परिपथ में कोई फोटो-इलेक्ट्रॉन प्रवाहित नहीं होता है। सीज़ियम सतह के लिए देहली (threshold) तरंगदैर्ध्य $nm$ में कितनी है?

यह दिया गया है कि $10,000\;\mathring A$ तरंगदैर्ध्य वाले प्रकाश के एक फोटॉन की ऊर्जा $1.23\; eV$ है। जब $5000\;\mathring A$ तरंगदैर्ध्य और $I_0$ तीव्रता का प्रकाश एक फोटोइलेक्ट्रिक सेल पर गिरता है,तो संतृप्ति धारा (saturation current) $0.40 \times 10^{-6}\; A$ है और निरोधी विभव (stopping potential) $1.36\; V$ है; तो कार्य फलन (work function) ..... $eV$ है।

एक फोटोसेल में आपतित तरंगदैर्ध्य $\lambda$ है। उत्सर्जित फोटोइलेक्ट्रॉन की अधिकतम गति $u$ है। यदि आपतित तरंगदैर्ध्य को बदलकर $3\lambda / 4$ कर दिया जाए,तो उत्सर्जित फोटोइलेक्ट्रॉन की अधिकतम गति क्या होगी?

जब किसी धातु का कार्य फलन (work function) बढ़ता है,तो उत्सर्जित प्रकाशिक इलेक्ट्रॉनों की अधिकतम गतिज ऊर्जा:

जब विकिरण एक फोटोइलेक्ट्रॉन उत्सर्जक पर आपतित होता है,तो निरोधी विभव (stopping potential) $9 \ V$ पाया जाता है। यदि इलेक्ट्रॉन के लिए $e/m$ का मान $1.8 \times 10^{11} \ C \ kg^{-1}$ है,तो उत्सर्जित इलेक्ट्रॉनों का अधिकतम वेग क्या है?