C અને Si બંને સમાન લેટીસ બંધારણ ધરાવે છે; દરે | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(C) કાર્બન $(^{6}C)$ ની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $1s^{2} 2s^{2} 2p^{2}$ છે.સિલિકોન $(_{14}Si)$ ની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $1s^{2} 2s^{2} 2p^{6} 3s^{2} 3p^{2}$ છે.$

Vedclass · Accepted Answer

$C$ ના કિસ્સામાં ચાર બંધન ઇલેક્ટ્રોન બીજી કક્ષામાં હોય છે,જ્યારે $Si$ ના કિસ્સામાં તે ત્રીજી કક્ષામાં હોય છે.

Vedclass · Answer

(C) કાર્બન $(^{6}C)$ ની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $1s^{2} 2s^{2} 2p^{2}$ છે.સિલિકોન $(_{14}Si)$ ની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $1s^{2} 2s^{2} 2p^{6} 3s^{2} 3p^{2}$ છે.$C$ માં,વેલેન્સ ઇલેક્ટ્રોન $n=2$ કક્ષામાં હોય છે,જે ન્યુક્લિયસની નજીક હોવાથી મોટું એનર્જી બેન્ડ ગેપ $(E_{g} \approx 5.4 \ eV)$ ધરાવે છે,જે તેને અવાહક બનાવે છે.$Si$ માં,વેલેન્સ ઇલેક્ટ્રોન $n=3$ કક્ષામાં હોય છે,જે ન્યુક્લિયસથી દૂર હોવાથી નાનું એનર્જી બેન્ડ ગેપ $(E_{g} \approx 1.1 \ eV)$ ધરાવે છે,જે તેને શુદ્ધ અર્ધવાહક તરીકે કામ કરવા દે છે.તેથી,$C$ અને $Si$ ના ચાર બંધન ઇલેક્ટ્રોન અનુક્રમે બીજી અને ત્રીજી કક્ષામાં રહેલા છે.

Similar Questions

જો આ સેમિકન્ડક્ટરનો લેટીસ અચળાંક ઘટાડવામાં આવે,તો નીચેનામાંથી કયું સાચું છે?

એક સ્ફટિક પ્રણાલી માટે જ્યાં $a = b = c$ અને $\alpha = \beta = \gamma \neq 90^\circ$ હોય,તો તે પ્રણાલી કઈ છે?

કયા પદાર્થમાં ઊર્જાનો બૅન્ડગૅપ મહત્તમ હોય છે?

સોડિયમ $(a = 4.225 \, \mathring{A})$ માં બોડી-સેન્ટર્ડ પરમાણુ અને ખૂણા પરના પરમાણુ વચ્ચેનું અંતર ....... $\mathring{A}$ છે. $[AIPMT \, 1995]$

અર્ધવાહકોમાં ઊર્જાગેપ ........ $eV$ ના ક્રમની હોય છે.

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module