$C$ और $Si$ दोनों की जालक संरचना समान है; प्रत्येक में $4$ बंधन इलेक्ट्रॉन होते हैं। हालाँकि,$C$ एक कुचालक है जबकि $Si$ एक नैज अर्धचालक है। इसका कारण यह है कि:

• A
  $C$ के मामले में परम शून्य तापमान पर संयोजी बैंड पूरी तरह से भरा नहीं होता है।
• B
  $C$ के मामले में परम शून्य तापमान पर भी चालन बैंड आंशिक रूप से भरा होता है।
• C
  $C$ के मामले में चार बंधन इलेक्ट्रॉन दूसरी कक्षा में स्थित होते हैं,जबकि $Si$ के मामले में वे तीसरी कक्षा में स्थित होते हैं।
• D
  $C$ के मामले में चार बंधन इलेक्ट्रॉन तीसरी कक्षा में स्थित होते हैं,जबकि $Si$ के मामले में वे चौथी कक्षा में स्थित होते हैं।