જ્યારે જર્મેનિયમમાં નીચેનામાંથી કોનું ડોપિંગ કરવામાં આવે ત્યારે $N-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર મળે છે?

$n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર માટે નીચેનામાંથી કયું વિધાન $\underline{TRUE}$ (સાચું) છે?

સેમિકન્ડક્ટરમાં રહેલા ડોનર પરમાણુમાં એક ઢીલી રીતે બંધાયેલો ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. આ ઇલેક્ટ્રોનની કક્ષા સેમિકન્ડક્ટર મટીરીયલ દ્વારા નોંધપાત્ર રીતે પ્રભાવિત થાય છે,પરંતુ તે ઘણી રીતે હાઇડ્રોજન ન્યુક્લિયસની આસપાસ ફરતા ઇલેક્ટ્રોન જેવું વર્તન કરે છે. જો ઇલેક્ટ્રોનનું અસરકારક દળ $0.07 \, m_e$ હોય,જ્યાં $m_e$ એ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનનું દળ છે અને જે અવકાશમાં તે ગતિ કરે છે તેની પરમિટિવિટી $13 \, \varepsilon_0$ છે,તો ઇલેક્ટ્રોનની સૌથી નીચી ઉર્જા કક્ષાની ત્રિજ્યા આશરે ................. $\mathring{A}$ હશે (હાઇડ્રોજન પરમાણુની બોહર ત્રિજ્યા $0.53 \mathring{A}$ લો).

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકો કયા અશુદ્ધિ તત્વને ઉમેરીને બનાવવામાં આવે છે?

જર્મેનિયમની ઇલેક્ટ્રોનિક ગોઠવણી $2, 8, 18, 4$ છે. તેને એક્સટ્રિન્સિક સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે તેમાં એન્ટિમનીની થોડી માત્રા ઉમેરવામાં આવે છે. પરિણામી પદાર્થનું સ્વરૂપ શું હશે?

નીચેનામાંથી કયા વિધાનમાં મેળવેલ અશુદ્ધ અર્ધવાહક $p$-પ્રકારનો છે?