નીચેનામાંથી કયા વિધાનમાં મેળવેલ અશુદ્ધ અર્ધવાહક $p$-પ્રકારનો છે?

$n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા એ $p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ સાંદ્રતા જેટલી જ છે. દરેક પર બાહ્ય વિદ્યુતક્ષેત્ર લાગુ કરવામાં આવે છે. તેમની વચ્ચેના પ્રવાહની તુલના કરો.

$n$-પ્રકાર અને $p$-પ્રકારના સિલિકોન સેમિકન્ડક્ટર શુદ્ધ સિલિકોનમાં નીચેનામાંથી કયા તત્વો ઉમેરીને મેળવી શકાય છે?

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં, એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $57 \, meV$ પર છે। હોલ ઉત્પન્ન કરવા માટે જરૂરી પ્રકાશની તરંગલંબાઇ $\mathring{A}$ માં કેટલી હશે? (આપેલ છે: $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J \cdot s$, $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, $1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J$)

જ્યારે જર્મેનિયમમાં નીચેનામાંથી કોનું ડોપિંગ કરવામાં આવે ત્યારે $N-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર મળે છે?

એક શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં $4 \times 10^{28}$ પરમાણુઓ પ્રતિ $m^3$ છે. તેને $1 \text{ ppm}$ એન્ટિમનીની સાંદ્રતા સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે. ઉપલબ્ધ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા કેટલી હશે?