એક ધાતુની સપાટી પર $4500 \; \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિકિરણ આપાત કરવામાં આવે છે. ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોન $2 \; mT$ ના અચળ ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં $90^{\circ}$ ના ખૂણે દાખલ થાય છે. જો તે $2 \; mm$ ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર માર્ગમાં ગતિ કરવાનું શરૂ કરે,તો ધાતુનું કાર્ય વિધેય આશરે ............. $eV$ હશે.

ધાતુની સપાટી પરથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનના પ્રયોગમાં,આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $2 \times 10^{-7} \,m$ છે અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $2.5 \,V$ છે. ધાતુની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ($Hz$ માં) આશરે કેટલી હશે? (ઈલેક્ટ્રોનનો વીજભાર $e=1.6 \times 10^{-19} \,C$,પ્લાન્કનો અચળાંક $h=6.6 \times 10^{-34} \,J-s$)

એક ફોટો-એમિસિવ પદાર્થને $\lambda_i$ તરંગલંબાઈના વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે જેથી તે $\lambda_c$ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન મુક્ત કરે છે. ફોટોઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરી શકે તેવા વિકિરણની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ $\lambda_0$ છે. ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ માટેનું સૂત્ર શું છે? ($m$: ઇલેક્ટ્રોનનું દળ,$h$: પ્લાન્કનો અચળાંક અને $c$: પ્રકાશની ઝડપ).

જ્યારે આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $400 \ nm$ થી બદલીને $310 \ nm$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બમણી થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય ........ $eV$ છે.

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોસેલના એમિટર પર પડે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ $V$ છે. જો આપાત તરંગલંબાઈ બદલીને $2\lambda / 3$ કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ કેટલી હશે?

$v$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ એક નિશ્ચિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ પર આપાત થાય છે,જેની થ્રેશોલ્ડ (દહેલી) આવૃત્તિ $v_0$ છે. પદાર્થ માટે કાર્ય વિધેય (Work Function) શું છે?