એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર $A$ એવા ડાયઇલેક્ટ્રિકથી ભરેલું છે જેનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક લાગુ કરેલા વોલ્ટેજ સાથે $K = V$ મુજબ બદલાય છે. હવા ધરાવતું $C_0$ કેપેસિટન્સ ધરાવતું સમાન કેપેસિટર $B$ ને $V_0 = 30\,V$ ના વોલ્ટેજ સ્ત્રોત સાથે જોડવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ વોલ્ટેજ સ્ત્રોતને દૂર કરીને તેને પ્રથમ કેપેસિટર $A$ સાથે જોડવામાં આવે છે. કેપેસિટર $A$ પરનો વિદ્યુતભાર અને વોલ્ટેજ શોધો.

નીચે દર્શાવેલ સર્કિટમાં ચાર સમાન કેપેસિટર શરૂઆતમાં અનચાર્જ્ડ છે। સ્વીચને પહેલા સ્થિતિ $A$ પર અને પછી સ્થિતિ $B$ પર લઈ જવામાં આવે છે। આ કર્યા પછી:
નોંધ: $V_{1,2,3,4}$ એ $C_{1,2,3,4}$ પરના પોટેન્શિયલ તફાવત છે અને $Q_{1,2,3,4}$ એ $C_{1,2,3,4}$ માં સંગ્રહિત અંતિમ ચાર્જ છે।

સાચા વિધાનો ઓળખો:
$A$. કેપેસિટરોના શ્રેણી જોડાણનું અસરકારક કેપેસિટન્સ હંમેશા જોડાણમાં રહેલા સૌથી નાના કેપેસિટન્સ કરતા ઓછું હોય છે.
$B$. જ્યારે કેપેસિટરની ચાર્જ થયેલી પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક માધ્યમ મૂકવામાં આવે છે, ત્યારે ડાયઇલેક્ટ્રિકના ઇન્સ્યુલેશન ગુણધર્મને કારણે વિદ્યુતભારોનું સ્થાનાંતર થઈ શકતું નથી.
$C$. કેપેસિટર પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ વધારવું અથવા ડાયઇલેક્ટ્રિકની જાડાઈ ઘટાડવી એ કેપેસિટન્સ વધારવાની વૈકલ્પિક રીત છે.
$D$. બિંદુવત વિદ્યુતભાર માટે, વિદ્યુતભારના સ્થાન પર કેન્દ્રિત સમકેન્દ્રીય ગોળાકાર કવચ એ સમસ્થિતિમાન પૃષ્ઠો છે.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો.

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $2 \mu F$,$3 \mu F$,$4 \mu F$ અને $x \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા ચાર કેપેસિટરને $6 \text{ V}$ emf અને અવગણ્ય આંતરિક અવરોધ ધરાવતી બેટરી સાથે જોડવામાં આવ્યા છે. જો $x \mu F$ અને $4 \mu F$ કેપેસિટર પરના વિદ્યુતભારોનો ગુણોત્તર $\frac{3}{8}$ હોય,તો $x$ નું મૂલ્ય શોધો.

જો $C$ અને $V$ અનુક્રમે કેપેસીટન્સ (કેપેસિટી) અને વોલ્ટેજ દર્શાવતા હોય,તો $\lambda$ ના પરિમાણો શું થાય,જ્યાં $\frac{C}{V} = \lambda$?

વિધાન: આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ બે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર $C_1$ અને $C_2$ (જેમાં $C_2 = 2C_1$) ની પ્લેટો પર વિદ્યુતભાર આપવામાં આવે છે. ત્યારબાદ પરિપથ પૂર્ણ કરવા માટે કી $K$ દબાવવામાં આવે છે. અંતે,કેપેસિટર $C_1$ ની ઉપરની પ્લેટ પરનો કુલ વિદ્યુતભાર અને નીચેની પ્લેટ પરનો કુલ વિદ્યુતભાર ધન છે.
કારણ: સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં,બંને પ્લેટો હંમેશા સમાન અને વિરુદ્ધ વિદ્યુતભાર ધરાવે છે.