એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $0.01\, mm$ છે અને તે ઇન્સ્યુલેટર તરીકે ડાયઇલેક્ટ્રિક (જેની ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ $19\, kV/mm$ છે) નો ઉપયોગ કરે છે. કેપેસિટરના ટર્મિનલ્સ પર લગાવી શકાય તેવો મહત્તમ વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત......$V$ છે.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં એક ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ ભરવામાં આવે છે,જેનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક અંતર $x$ સાથે $K(x) = K_0 + \lambda x$ (જ્યાં $\lambda$ અચળાંક છે) સંબંધ મુજબ બદલાય છે. કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ તેના શૂન્યાવકાશ કેપેસિટન્સ $C_0$ સાથે કયા સંબંધ દ્વારા જોડાયેલું હશે?

$40 \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર-પ્લેટ કેપેસિટરને $100 V$ ના પાવર સપ્લાય સાથે જોડવામાં આવે છે. હવે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $K=2$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થને ભરવામાં આવે છે. ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થ દાખલ કરવાને કારણે,કેપેસિટરમાં વધારાનો વિદ્યુતભાર અને સ્થિત-વિદ્યુત ઉર્જામાં થતો ફેરફાર અનુક્રમે કેટલો હશે?

$C_1$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ એર-ફિલ્ડ કેપેસીટરનું પ્લેટ ક્ષેત્રફળ $A$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. જ્યારે $\frac{d}{2}$ જાડાઈની અને સમાન ક્ષેત્રફળ $A$ ધરાવતી ધાતુની શીટ પ્લેટો વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે,ત્યારે તેનું કેપેસીટન્સ $C_2$ થાય છે. ગુણોત્તર $C_2 : C_1$ કેટલો હશે?

$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરને $V$ emf ધરાવતા સેલ સાથે જોડવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ તેને દૂર કરવામાં આવે છે. હવે તેમાં $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે,જે કેપેસિટરની હવાના ગાળાને સંપૂર્ણપણે ભરી શકે છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે, જ્યારે તેની પ્લેટો વચ્ચે શૂન્યાવકાશ હોય છે. જો પ્લેટો વચ્ચે $t = d/3$ જાડાઈની (જ્યાં $d$ એ પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર છે) અને સાપેક્ષ પરમિટિવિટી $K$ ધરાવતી એક ડાયલેક્ટ્રિક શીટ મૂકવામાં આવે, તો તંત્રનું નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?