$200 \,\mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરને $200 \,V$ ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. જ્યારે બેટરી જોડાયેલી રહે છે,ત્યારે કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચે $2$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. કેપેસીટરમાં સ્થિત વિદ્યુત ઊર્જામાં થતો ફેરફાર ...... $J$ હશે.

હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $9 \ pF$ છે. તેની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. હવે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા બે ડાયલેક્ટ્રિક્સથી ભરવામાં આવે છે. એક ડાયલેક્ટ્રિકનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $k_1 = 3$ અને જાડાઈ $d/3$ છે,જ્યારે બીજાનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $k_2 = 6$ અને જાડાઈ $2d/3$ છે. હવે કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ . . . . . . $pF$ છે.

$90 \ pF$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરને $20 \ V$ ના $emf$ ધરાવતી બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે $K = \frac{5}{3}$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાયઇલેક્ટ્રિક મટીરીયલ મૂકવામાં આવે,તો પ્રેરિત વિદ્યુતભારનું મૂલ્ય .......$nC$ થશે.

બે સમાન કેપેસિટર આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ જોડાયેલા છે. જ્યારે સ્વિચ $S$ બંધ હોય,ત્યારે તંત્રની કુલ ઉર્જા $U_1$ છે. જો સ્વિચ ખોલવામાં આવે અને બંને કેપેસિટરને $K = 3$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિક વડે ભરવામાં આવે,તો તંત્રની ઉર્જા $U_2$ થાય છે. $\frac{U_1}{U_2}$ નું મૂલ્ય શોધો.

$A$ ક્ષેત્રફળ,$d$ પ્લેટ અંતર અને $C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $k_1, k_2$ અને $k_3$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ત્રણ અલગ-અલગ ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થો ભરવામાં આવ્યા છે. જો આ કેપેસિટરમાં સમાન કેપેસિટન્સ $C$ મેળવવા માટે એક જ ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થનો ઉપયોગ કરવાનો હોય,તો તેનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $k$ કેટલો હશે?

વિધાન : જો કેપેસિટરની સમાંતર પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે અને ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ત્રણ ગણો કરવામાં આવે,તો કેપેસીટન્સ $6$ ગણું થાય છે.
કારણ : કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ પ્લેટો વચ્ચેના પદાર્થના પ્રકાર પર આધાર રાખતું નથી.