$90 \ pF$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરને $20 \ V$ ના $emf$ ધરાવતી બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે $K = \frac{5}{3}$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાયઇલેક્ટ્રિક મટીરીયલ મૂકવામાં આવે,તો પ્રેરિત વિદ્યુતભારનું મૂલ્ય .......$nC$ થશે.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ $0.4 \pi \,m^2$ અને અંતર $0.5 \,mm$ છે. જો કેપેસિટરની પ્લેટોની વચ્ચે $0.5 \,mm$ જાડાઈ અને $4.5$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી સ્લેબ મૂકવામાં આવે, તો કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

$10 \ \mu F$ ના સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચે હવા ભરેલ છે. હવે બે પ્લેટો વચ્ચેનો અડધો ભાગ $4$ ડાઇ-ઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા દ્રવ્યથી આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ભરવામાં આવેલ છે. તો કેપેસીટરની નવી ક્ષમતા $\mu F$ માં શોધો.

બે સમાન સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરને $V$ e.m.f. ધરાવતી બેટરી સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે છે. જો એક કેપેસિટરને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પ્રવાહીમાં મૂકવામાં આવે, તો બીજા કેપેસિટરનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો થશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બેટરી સાથે જોડાયેલ છે. કેપેસિટર સાથે સંકળાયેલ વિદ્યુતભાર,વોલ્ટેજ,વિદ્યુતક્ષેત્ર અને ઉર્જા અનુક્રમે $Q_0, V_0, E_0$ અને $U_0$ છે. કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે પરંતુ બેટરી જોડાયેલી રહે છે. તો હવે મળતી રાશિઓ $Q, V, E$ અને $U$ અગાઉની રાશિઓ સાથે કેવી રીતે સંબંધિત છે?

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $K_1$ અને $K_2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી બે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબને સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે મૂકવામાં આવી છે. જો દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ હોય અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ હોય,તો કેપેસિટરનું સમતુલ્ય કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?