એક ફોટોડિટેક્ટર $In_{0.53}Ga_{0.47}As$ સેમિકન્ડક્ટરથી બનેલું છે જેનો $E_g = 0.73 \, eV$ છે. તે મહત્તમ કેટલી તરંગલંબાઇ શોધી શકે છે ($nm$ માં)?

$3.1 \,eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટરથી $p-n$ ફોટોડાયોડ બનાવવામાં આવે છે. નીચેનામાંથી કઈ તરંગલંબાઈ તેના દ્વારા શોધી શકાય છે?

ફોટોડાયોડ એ એક એવું ઉપકરણ છે જે:

જ્યારે મલ્ટિમીટર (રેઝિસ્ટન્સ માપવાના મોડમાં) ના પ્રોબ્સને કોઈ ઘટક સાથે જોડવામાં આવે અને તેને ઉલટાવવામાં આવે, ત્યારે નીચેનામાંથી શું જોવા મળશે $\text{નહીં}$?

સોલર સેલનો $I-V$ લાક્ષણિકતા આલેખ યામ પદ્ધતિના ચોથા ચરણમાં કેમ દોરવામાં આવે છે?

વિધાન $(A)$: $Si$ અને $GaAs$ એ સોલર સેલ માટે પસંદગીના પદાર્થો છે.
કારણ $(R)$: આ બંને પદાર્થોના એનર્જી બેન્ડ ગેપ સૌર વર્ણપટમાં મહત્તમ સૌર વિકિરણને અનુરૂપ ઉર્જા સ્તર કરતા ઘણા નીચે છે.