$3.1 \,eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટરથી $p-n$ ફોટોડાયોડ બનાવવામાં આવે છે. નીચેનામાંથી કઈ તરંગલંબાઈ તેના દ્વારા શોધી શકાય છે?

$1.4 \ eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટર (અર્ધવાહક) માંથી $p-n$ ફોટોડાયોડ બનાવવામાં આવે છે. તે કઈ તરંગલંબાઇના સિગ્નલને શોધી શકે છે?

$p-n$ ફોટોડાયોડ $2.0\, eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા પદાર્થમાંથી બનાવવામાં આવે છે. આ પદાર્થ દ્વારા શોષી શકાય તેવા વિકિરણની લઘુત્તમ આવૃત્તિ આશરે કેટલી હશે?

$2.5 \, eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટરથી $p-n$ ફોટોડાયોડ બનાવવામાં આવે છે. તે કેટલી તરંગલંબાઇનો સિગ્નલ શોધી શકે છે?

સૌર વિકિરણોનું emf માં કાર્યક્ષમ રૂપાંતરણ કરવા માટે પદાર્થ $A$ નો ઉપયોગ કરીને એક સોલર સેલ બનાવવાનો છે. સોલર સેલને પદાર્થ $B$ ના કોટિંગની મદદથી યાંત્રિક રીતે સુરક્ષિત રાખવાનો છે. જો પદાર્થ $A$ અને $B$ ની બેન્ડ ગેપ ઉર્જા અનુક્રમે $E_{A}$ અને $E_{B}$ હોય,તો સોલર સેલના વધુ સારા પ્રદર્શન માટે નીચેનામાંથી કયો વિકલ્પ શ્રેષ્ઠ છે?

લેપટોપ $PC$,આધુનિક ઇલેક્ટ્રોનિક ઘડિયાળો અને કેલ્ક્યુલેટર ડિસ્પ્લે માટે નીચેનામાંથી શેનો ઉપયોગ કરે છે?