$2.5 \, eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટરથી $p-n$ ફોટોડાયોડ બનાવવામાં આવે છે. તે કેટલી તરંગલંબાઇનો સિગ્નલ શોધી શકે છે?

લાઈટ એમિટિંગ ડાયોડ $(LED)$ માં,પ્રકાશનું ઉત્સર્જન શેના કારણે થાય છે?

જો એક સેમિકન્ડક્ટર ફોટોડાયોડ $400\, nm$ ની મહત્તમ તરંગલંબાઇ ધરાવતા ફોટોનને શોધી શકતું હોય, તો તેની બેન્ડ ગેપ ઉર્જા કેટલી હશે ($ eV$ માં)? (આપેલ છે: પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.63 \times 10^{-34}\, J \cdot s$, પ્રકાશની ઝડપ $c = 3 \times 10^{8}\, m/s$)

$LED$ એ $GaAsP$ સેમિકન્ડક્ટર મટીરીયલમાંથી બનાવવામાં આવે છે. આ $LED$ નો એનર્જી ગેપ $1.9\, eV$ છે. ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ અને તેનો રંગ ગણો.
$[h = 6.63 \times 10^{-34} \, Js$ અને $c = 3 \times 10^{8} \, ms^{-1}]$

ત્રણ ફોટોડાયોડ $D_{1}, D_{2}$ અને $D_{3}$ એવા સેમિકન્ડક્ટરના બનેલા છે જેમના બેન્ડ ગેપ અનુક્રમે $2.5 eV, 2 eV$ અને $3 eV$ છે. કયો ફોટોડાયોડ $600 nm$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા પ્રકાશને શોધી શકશે?

ફોટોડાયોડની વાહકતા ત્યારે જ બદલાવાનું શરૂ થાય છે જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ < 660 \, nm કરતા ઓછી હોય. ફોટોડાયોડનો બેન્ડ ગેપ $\left(\frac{x}{8}\right) eV$ જેટલો મળે છે. $x$ નું મૂલ્ય કેટલું હશે? (આપેલ છે, $h=6.6 \times 10^{-34} \, Js, c=3 \times 10^8 \, m/s, e=1.6 \times 10^{-19} \, C$)