$hv$ ઉર્જા ધરાવતો એક ફોટોન એવી ધાતુના મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન દ્વારા શોષાય છે જેનું વર્ક ફંક્શન $\phi < hv$ છે.

જ્યારે $\lambda_1$ અને $\lambda_2$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે, ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા અનુક્રમે $K_1$ અને $K_2$ છે. જો $\lambda_1 = 3\lambda_2$ હોય, તો

$331 \text{ nm}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશના સ્ત્રોતનો ઉપયોગ ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરવા માટે થાય છે, જેનો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.2 \text{ V}$ છે. પ્રયોગમાં વપરાયેલ ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $\alpha \times 10^{-19} \text{ J}$ છે. $\alpha$ નું મૂલ્ય . . . . . . છે. ($h = 6.62 \times 10^{-34} \text{ J s}$, $e = 1.6 \times 10^{-19} \text{ C}$ અને $c = 3 \times 10^8 \text{ m/s}$) ($.68$ માં)

ટંગસ્ટન માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $2300\; \mathring{A}$ છે. $1800\; \mathring{A}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ દ્વારા સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $.............\,eV$ છે.

$5000 \ \mathring A$ તરંગલંબાઈ અને $4.68 \ mW/cm^2$ તીવ્રતા ધરાવતો પ્રકાશ એક પ્રકાશ-સંવેદી સપાટી પર આપાત થાય છે. જો આપાત ફોટોનમાંથી માત્ર $5\%$ ફોટોન ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરતા હોય,તો એકમ સમયમાં એકમ ક્ષેત્રફળ દીઠ ઉત્સર્જિત થતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા કેટલી હશે?

$4000 \, \mathring{A}$ ની આપાત વિકિરણ માટેના ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,ઉત્સર્જન અટકાવવા માટેનો પોટેન્શિયલ તફાવત $2 \, V$ છે. જો આપાત પ્રકાશને બદલીને $3000 \, \mathring{A}$ કરવામાં આવે,તો ઈલેક્ટ્રોનના ઉત્સર્જનને અટકાવવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ કેટલો હશે?