એક સેમિકન્ડક્ટર $(Ge - As)$ નો એનર્જી ગેપ $1.43\, eV$ છે. જ્યારે આવા સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ અને ઈલેક્ટ્રોનનું પુનઃસંયોજન થાય ત્યારે ઉત્સર્જિત થતી મહત્તમ તરંગલંબાઈ $\mathring{A}$ માં કેટલી હશે?

  • A
    $4562$
  • B
    $9874$
  • C
    $8671$
  • D
    $16342$

Explore More

Similar Questions

રિવર્સ બાયસ્ડ $P-N$ જંકશન ડાયોડનો અવરોધ આશરે કેટલો હોય છે?

આપેલ આકૃતિમાં,બિંદુ $A$ નો વોલ્ટેજ ............ $V$ છે.

જ્યારે $P-N$ જંકશન ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય,ત્યારે નીચેનામાંથી શું સાચું છે?

આપેલ પરિપથમાં આદર્શ $P-N$ જંકશન ડાયોડમાંથી વહેતો પ્રવાહ .......$mA$ છે.

સિલિકોન $P-N$ જંકશનમાં ફોરવર્ડ અને રિવર્સ બાયસમાં ચાર્જ કેરિયર્સની ગતિ માટેના મુખ્ય મિકેનિઝમ કયા છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo