एक अर्धचालक $(Ge - As)$ का ऊर्जा अंतराल $1.43\, eV$ है। जब ऐसे अर्धचालक में एक होल और एक इलेक्ट्रॉन का पुनर्संयोजन होता है,तो उत्सर्जित अधिकतम तरंगदैर्ध्य $\mathring{A}$ में क्या होगी?

चित्र में एक डायोड के $V-I$ अभिलक्षण दर्शाए गए हैं। अग्र अभिनत (forward bias) और पश्च अभिनत (reverse bias) प्रतिरोध का अनुपात क्या है?

निम्नलिखित परिपथ में,$PN$-जंक्शन डायोड $D_1$,$D_2$ और $D_3$ आदर्श हैं। $A$ और $B$ के निम्नलिखित विभव के लिए,$A$ और $B$ के बीच तुल्य प्रतिरोध का सही बढ़ता क्रम क्या होगा?
$(i) V_A = -10 V, V_B = -5 V$
$(ii) V_A = -5 V, V_B = -10 V$
$(iii) V_A = -4 V, V_B = -12 V$

$p-n$ जंक्शन क्षेत्र में अवक्षय परत (depletion layer) किसके कारण बनती है?

चित्र में दिखाए गए अनुसार एक संधारित्र $(20 \mu\text{F})$, एक प्रतिरोधक $(100 \Omega)$ और दो समान डायोड से बने परिपथ पर विचार करें, जो प्रति-समानांतर (anti-parallel) जुड़े हैं। अग्र अभिनति (forward biasing) स्थिति में प्रत्येक डायोड का प्रतिरोध $10 \Omega$ है। परिपथ का समय नियतांक (time constant) $\alpha \times 10^{-3} \text{ s}$ है। $\alpha$ का मान . . . . . . है।

$Ge$ और $Si$ डायोड क्रमशः $0.3\,V$ और $0.7\,V$ पर चालन शुरू करते हैं। निम्नलिखित आकृति में,यदि $Ge$ डायोड का कनेक्शन उलट दिया जाए,तो $V_0$ का मान कितने से बदल जाएगा: ...... $V$ (मान लें कि $Ge$ डायोड का ब्रेकडाउन वोल्टेज बहुत अधिक है)।