ट्रांजिस्टर एक ........... है।

कमरे के तापमान पर आंतरिक सिलिकॉन के एक क्रिस्टल में वाहक सांद्रता $1.6 \times 10^{16} / m^3$ है। यदि दाता सांद्रता स्तर $4.8 \times 10^{20} / m^3$ है, तो अर्धचालक में होल्स की सांद्रता क्या होगी?

जब एक $N-$ प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) को गर्म किया जाता है,तो आवेश वाहकों (charge carriers) के साथ क्या होता है?

$300 \ K$ तापमान पर शुद्ध सिलिकॉन क्रिस्टल की चालकता क्या होगी? यदि आंतरिक वाहक सांद्रता $1.072 \times 10^{10} \ cm^{-3}$ है और इस तापमान पर इलेक्ट्रॉन गतिशीलता $\mu_n = 1350 \ cm^2 / (V \cdot s)$ और होल गतिशीलता $\mu_p = 480 \ cm^2 / (V \cdot s)$ है।

एक शुद्ध अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन और होल की सांद्रता समान $10^{16} \ m^{-3}$ है। गैलियम द्वारा डोपिंग करने पर $n_{h}$ बढ़कर $5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ हो जाता है। तो,डोप्ड अर्धचालक में $n_{e}$ का मान क्या होगा?

नैज (intrinsic) अर्धचालक में विद्युत चालन कैसे उत्पन्न होता है?