ફોટોઈમિશન થાય છે તેમ ધારીને,જ્યારે આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ ચાર ગણી કરવામાં આવે ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગમાં થતો ફેરફાર કેટલો હશે?

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોસેલના એમિટર પર પડે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ $V$ છે. જો આપાત તરંગલંબાઈ બદલીને $2\lambda / 3$ કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ કેટલી હશે?

$9 \, eV$ અને $4.5 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી બે ધાતુની સપાટીઓ $A$ અને $B$ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇઓ વચ્ચેનો તફાવત $nm$ માં કેટલો છે? (આપેલ છે,$hc = 1242 \, eV \, nm$)

આકૃતિ ચાર અલગ-અલગ વિકિરણો માટે એનોડ પોટેન્શિયલ સાથે ફોટોકરન્ટમાં થતો ફેરફાર દર્શાવે છે. ધારો કે $f_a$,$f_b$,$f_c$ અને $f_d$ એ અનુક્રમે વક્ર $a$,$b$,$c$ અને $d$ માટેની આવૃત્તિઓ છે.

$2 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $3.4 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતો ફોટોન આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ-ઊર્જા .......... $eV$ છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના અવલોકનોના સંદર્ભમાં,નીચે આપેલા વિધાનોમાંથી સાચા વિધાનો ઓળખો:
$A.$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો વર્ગ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ સાથે રેખીય રીતે બદલાય છે.
$B.$ પ્રકાશના સ્ત્રોતને ધાતુની સપાટીથી દૂર લઈ જવાથી સેચ્યુરેશન પ્રવાહનું મૂલ્ય વધે છે.
$C.$ $LED$ (લાઈટ એમિટિંગ ડાયોડ) પ્રકાશ સ્ત્રોતની પાવર ઘટાડવાથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ઘટે છે.
$D.$ ધાતુની સપાટીમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ત્વરિત ઉત્સર્જન પ્રકાશ/વિદ્યુતચુંબકીય તરંગોના કણ સ્વરૂપ દ્વારા સમજાવી શકાતું નથી.
$E.$ થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈનું અસ્તિત્વ પ્રકાશ/વિદ્યુતચુંબકીય તરંગોના તરંગ સ્વરૂપ દ્વારા સમજાવી શકાતું નથી.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો: