એક ચોક્કસ ક્ષણે,નીચે આપેલા સર્કિટમાં પ્રવાહ $i$ છે. નીચે દર્શાવેલ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનો સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) .......... છે.

$R=6.0\; cm$ ત્રિજ્યા ધરાવતી વર્તુળાકાર પ્લેટોથી બનેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર (આકૃતિ) નું કેપેસિટન્સ $C=100\; pF$ છે. આ કેપેસિટરને $300 \;rad \;s ^{-1}$ ની કોણીય આવૃત્તિ ધરાવતા $230\; V$ ના ac સપ્લાય સાથે જોડવામાં આવે છે.
$(a)$ વહન પ્રવાહ (conduction current) નું rms મૂલ્ય કેટલું છે?
$(b)$ શું વહન પ્રવાહ એ સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) જેટલો છે?
$(c)$ પ્લેટોની વચ્ચે અક્ષથી $3.0\; cm$ અંતરે આવેલા બિંદુએ $B$ નું કંપવિસ્તાર નક્કી કરો.

$A$ જેટલું પ્લેટ ક્ષેત્રફળ અને $d$ જેટલું પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $i$ જેટલા અચળ પ્રવાહ વડે ચાર્જ કરવામાં આવે છે. પ્લેટોની વચ્ચે સમાંતર અને સંમિત રીતે દોરેલી $A/2$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી એક સમતલ સપાટીનો વિચાર કરો. આ સપાટીમાંથી પસાર થતો સ્થાનાંતર પ્રવાહ કેટલો હશે?

$1 \ \mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચેનો વોલ્ટેજ $4 \ V/s$ ના દરે બદલાઈ રહ્યો છે. કેપેસીટરમાં સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) કેટલો હશે ($\mu A$ માં)?

દર્શાવો કે ચાર્જિંગ દરમિયાન સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેના બિંદુએ ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B = \frac{{\mu _0 \epsilon _0 r}}{2} \cdot \frac{{dE}}{{dt}}$ છે (જ્યાં સંજ્ઞાઓ તેમના સામાન્ય અર્થ ધરાવે છે).

$\frac{1}{2} \text{ F}$ ના સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $I$ એમ્પીયરનો તાત્કાલિક સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) સ્થાપિત કરવા માટે,$\frac{dV}{dt}$ નું મૂલ્ય ....... છે.