P-N जंक्शन डायोड का बैरियर विभव किस पर निर्भर | vedclass

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Question

(D) $P-N$ जंक्शन का बैरियर विभव अर्धचालक पदार्थ के आंतरिक गुणों और उस पर लागू बाहरी स्थितियों द्वारा निर्धारित होता है।$1$. तापमान: जैसे-जैसे तापमान ब

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डायोड की बनावट (Design)

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(D) $P-N$ जंक्शन का बैरियर विभव अर्धचालक पदार्थ के आंतरिक गुणों और उस पर लागू बाहरी स्थितियों द्वारा निर्धारित होता है।$1$. तापमान: जैसे-जैसे तापमान बढ़ता है,बैरियर विभव कम हो जाता है।$2$. डोपिंग घनत्व: उच्च डोपिंग घनत्व अवक्षय परत (depletion region) को संकरा बनाता है और बैरियर विभव में परिवर्तन लाता है।$3$. अग्र अभिनति (Forward bias): अग्र अभिनति लागू करने से प्रभावी बैरियर विभव कम हो जाता है।$4$. डायोड की बनावट: डायोड की भौतिक बनावट या ज्यामिति $P-N$ जंक्शन के आंतरिक बैरियर विभव को प्रभावित नहीं करती है।अतः,सही विकल्प $D$ है।

$P-N$ जंक्शन डायोड का बैरियर विभव किस पर निर्भर नहीं करता है?

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