एक अनबायस्ड $n-p$ जंक्शन में,इलेक्ट्रॉन $n-$ क्षेत्र से $p-$ क्षेत्र में विसरित (diffuse) होते हैं क्योंकि
- A$p-$ क्षेत्र में मौजूद होल उन्हें आकर्षित करते हैं
- Bविभवांतर के कारण इलेक्ट्रॉन जंक्शन के पार यात्रा करते हैं
- Cकेवल इलेक्ट्रॉन $n$ से $p$ क्षेत्र में जाते हैं और इसके विपरीत नहीं
- D$p-$ क्षेत्र की तुलना में $n-$ क्षेत्र में इलेक्ट्रॉन सांद्रता अधिक होती है
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एक अर्धचालक उपकरण $X$ को एक बैटरी और एक प्रतिरोधक के साथ श्रेणीक्रम में जोड़ा जाता है। परिपथ से $10 \ mA$ की धारा प्रवाहित होती है। यदि $X$ के टर्मिनलों को उलट दिया जाए,तो धारा लगभग शून्य हो जाती है। $X$ क्या हो सकता है?
जब $p-n$ जंक्शन पर फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,तो विभव प्राचीर (potential barrier) पर क्या प्रभाव पड़ता है?
यदि सेल का आंतरिक प्रतिरोध नगण्य है,तो परिपथ में प्रवाहित होने वाली धारा है: ($A$ में)
निम्नलिखित में से कौन सा चित्र फॉरवर्ड बायस डायोड को दर्शाता है?
नीचे दिए गए चित्र में दिखाए गए आदर्श $PN-$ जंक्शन डायोड से प्रवाहित होने वाली धारा क्या है? ($mA$ में)
Difficult
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