जब p-n जंक्शन पर फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,त | vedclass

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Question

(B) $p-n$ जंक्शन में,विभव प्राचीर का निर्माण अवक्षय परत (depletion region) द्वारा होता है,जो बहुसंख्यक आवेश वाहकों के प्रवाह का विरोध करता है।जब फॉरवर

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घटता है

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(B) $p-n$ जंक्शन में,विभव प्राचीर का निर्माण अवक्षय परत (depletion region) द्वारा होता है,जो बहुसंख्यक आवेश वाहकों के प्रवाह का विरोध करता है।जब फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,तो बैटरी का धनात्मक सिरा $p$-क्षेत्र से और ऋणात्मक सिरा $n$-क्षेत्र से जोड़ा जाता है।यह बाह्य विद्युत क्षेत्र अवक्षय परत के आंतरिक विद्युत क्षेत्र का विरोध करता है।परिणामस्वरूप,अवक्षय परत की चौड़ाई कम हो जाती है,जिससे विभव प्राचीर की ऊंचाई में कमी आती है।अतः,विभव प्राचीर घटता है।

जब $p-n$ जंक्शन पर फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,तो विभव प्राचीर (potential barrier) पर क्या प्रभाव पड़ता है?

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$P-N$ जंक्शन की अवक्षय परत (depletion layer) ....... से बनी होती है।

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एक अनबायस्ड $PN$-जंक्शन में,जंक्शन पर विभव (potential) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?

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