સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની બે પ્લેટો પર $2Q$ અને $-Q$ જેટલા વિદ્યુતભારો મૂકવામાં આવ્યા છે. જો કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ હોય,તો પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં,જો $10^{12}$ ઇલેક્ટ્રોન એક પ્લેટમાંથી બીજી પ્લેટમાં જાય,તો પ્લેટો વચ્ચે $10 \,V$ નો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત ઉદભવે છે. કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ કેટલું હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર $1\; kV$ ના વોલ્ટેજ રેટિંગ સાથે ડિઝાઇન કરવાનું છે,જેમાં $3$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક અને લગભગ $10^{7}\; V\,m^{-1}$ ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ ધરાવતા પદાર્થનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો છે. (ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ એ મહત્તમ વિદ્યુતક્ષેત્ર છે જે પદાર્થ બ્રેકડાઉન વગર સહન કરી શકે છે,એટલે કે,આંશિક આયનીકરણ દ્વારા વિદ્યુતનું વહન શરૂ કર્યા વગર.) સુરક્ષા માટે,આપણે ઇચ્છીએ છીએ કે ક્ષેત્ર ક્યારેય ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થના $10\%$ થી વધે નહીં. $50\; pF$ નું કેપેસીટન્સ મેળવવા માટે પ્લેટોનું લઘુત્તમ ક્ષેત્રફળ ($cm^2$ માં) કેટલું હોવું જોઈએ?

એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ $C$ છે અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. પ્લેટો વચ્ચે $V$ જેટલો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત લાગુ પાડવામાં આવે છે. સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે લાગતું આકર્ષણ બળ કેટલું હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરને $V$ વોલ્ટના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. ચાર્જિંગ બેટરીને દૂર કર્યા પછી,ઇન્સ્યુલેટિંગ હેન્ડલનો ઉપયોગ કરીને કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર વધારવામાં આવે છે. પરિણામે,પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત:

$2\,\mu F$ ના સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ કેટલું હશે,જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $0.5\, cm$ હોય?