सही कथन चुनिए।

  • A
    जब हम अर्धचालक को गर्म करते हैं, तो उसका प्रतिरोध बढ़ जाता है।
  • B
    जब हम अर्धचालक को गर्म करते हैं, तो उसका प्रतिरोध घट जाता है।
  • C
    जब हम अर्धचालक को $0 \text{ K}$ तक ठंडा करते हैं, तो वह अतिचालक बन जाता है।
  • D
    अर्धचालक का प्रतिरोध तापमान से स्वतंत्र होता है।

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तांबे का एक टुकड़ा और जर्मेनियम का दूसरा टुकड़ा कमरे के तापमान से $80\, K$ तक ठंडा किया जाता है। तो उनका प्रतिरोध :-

$C$ और $Si$ दोनों की जालक संरचना समान है; प्रत्येक में $4$ बंधन इलेक्ट्रॉन होते हैं। हालाँकि,$C$ एक कुचालक है जबकि $Si$ एक नैज अर्धचालक है। इसका कारण यह है कि:

$C$ (हीरा), $Si$ और $Ge$ के लिए वैलेंस बैंड $(E_V)$ और कंडक्शन बैंड $(E_C)$ के बीच ऊर्जा बैंड अंतराल (energy band gap) का मान बताइए।

कुचालकों (insulators) के ऊर्जा बैंड आरेख में,बैंड गैप और चालन बैंड (conduction band) क्रमशः होते हैं:

इस प्रश्न में कथन $1$ और कथन $2$ दिए गए हैं। कथनों के बाद दिए गए चार विकल्पों में से,वह चुनें जो दोनों कथनों का सबसे अच्छा वर्णन करता है।
कथन $1$ : एक शुद्ध अर्धचालक का प्रतिरोध का ताप गुणांक ऋणात्मक होता है।
कथन $2$ : तापमान बढ़ाने पर,अधिक आवेश वाहक चालन बैंड (conduction band) में मुक्त हो जाते हैं।

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