નીચેના સંયોજનોને ધ્યાનમાં લો:I. H_3X-NCSII. H | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(C) આ સંયોજનોમાં મધ્યસ્થ પરમાણુ ($N$ અથવા $O$) ના અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ અને બાજુના પરમાણુ ($Si$ હોય તો) ની ખાલી $d$-કક્ષકો વચ્ચે બેક-બોન્ડિંગ થાય

Vedclass · Accepted Answer

જો $X$ કાર્બન હોય અને $Y$ સિલિકોન હોય,તો સંયોજન $I$ એ સંયોજન $II$ કરતા વધુ બેઝિક છે.

Vedclass · Answer

(C) આ સંયોજનોમાં મધ્યસ્થ પરમાણુ ($N$ અથવા $O$) ના અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ અને બાજુના પરમાણુ ($Si$ હોય તો) ની ખાલી $d$-કક્ષકો વચ્ચે બેક-બોન્ડિંગ થાય છે.$H_3C-NCS$ માટે,$N$ પરમાણુ $sp^2$ સંકરણ ધરાવે છે અને એક અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ ધરાવે છે,જે તેને વળેલું $(142^\circ)$ બનાવે છે.$H_3Si-NCS$ માટે,$N$ પરનું અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ $Si$ ની ખાલી $d$-કક્ષક સાથે $p_{\pi}-d_{\pi}$ બેક-બોન્ડિંગમાં ભાગ લે છે,જે $Si-N-C$ બંધને રેખીય $(180^\circ)$ બનાવે છે.તે જ રીતે,$(H_3C)_2O$ માટે,$O$ પરમાણુ $sp^3$ સંકરણ ધરાવે છે,જે તેને વળેલું $(110^\circ)$ બનાવે છે.$(H_3Si)_2O$ માટે,$O$ પરનું અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ $Si$ સાથે $p_{\pi}-d_{\pi}$ બેક-બોન્ડિંગમાં ભાગ લે છે,જે $Si-O-Si$ બંધકોણને વધારીને $140^\circ$ કરે છે.વિકલ્પ $C$ ખોટો છે કારણ કે $H_3Si-NCS$ એ $H_3C-NCS$ કરતા ઓછું બેઝિક છે કારણ કે $N$ પરના અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ $Si$ સાથે બેક-બોન્ડિંગમાં વપરાય છે,જેથી તે દાન માટે ઓછું ઉપલબ્ધ રહે છે.

નીચેના સંયોજનોને ધ્યાનમાં લો:
$I. H_3X-NCS$
$II. H_3Y-NCS$
$III. (H_3X)_2O$
$IV. (H_3Y)_2O$
આપેલા સંયોજનો વિશે ખોટું વિધાન કયું છે?

Similar Questions

પરમાણુઓ દ્વારા અણુના નિર્માણમાં,કયા બળો કાર્ય કરે છે?

નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module

નીચેના સંયોજનોને ધ્યાનમાં લો:$I. H_3X-NCS$$II. H_3Y-NCS$$III. (H_3X)_2O$$IV. (H_3Y)_2O$આપેલા સંયોજનો વિશે ખોટું વિધાન કયું છે?