નીચે આપેલા વિધાનો $A$ અને $B$ ને ધ્યાનમાં લો અને આપેલા જવાબોમાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો:
$A:$ $P-N$ જંકશન ડાયોડમાં ફોરવર્ડ બાયસમાં ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ વધે છે.
$B:$ આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં,ફર્મી એનર્જી લેવલ ફોરબિડન ગેપની બરાબર મધ્યમાં હોય છે.

  • A
    $A$ સાચું છે અને $B$ ખોટું છે.
  • B
    $A$ અને $B$ બંને ખોટા છે.
  • C
    $A$ ખોટું છે અને $B$ સાચું છે.
  • D
    $A$ અને $B$ બંને સાચા છે.

Explore More

Similar Questions

આપેલ આકૃતિમાં,બિંદુ $A$ નો વોલ્ટેજ ............ $V$ છે.

ડાયોડ માટે જુદા જુદા તાપમાને લાક્ષણિકતાનો આલેખ દર્શાવેલ છે. તો તાપમાન વચ્ચેનો સંબંધ શું છે?

$Ge$ ની ફોરબિડન એનર્જી ગેપ $0.75 \ eV$ છે. $Ge$ અર્ધવાહકમાં ઈલેક્ટ્રોન-હોલ જોડકું ઉત્પન્ન કરવા માટે આપાત ફોટોન રેડિએશનની મહત્તમ તરંગલંબાઈ ........... $\mathring{A}$ હોવી જોઈએ.

Difficult
View Solution

નીચેની આકૃતિમાં દર્શાવેલ સર્કિટમાં બે ડાયોડ $D_1$ અને $D_2$ છે,જે દરેકનો ફોરવર્ડ અવરોધ $50 \, \Omega$ અને રિવર્સ અવરોધ અનંત છે. જો બેટરીનો વોલ્ટેજ $6 \, V$ હોય,તો $100 \, \Omega$ ના અવરોધમાંથી વહેતો પ્રવાહ (એમ્પિયરમાં) કેટલો હશે?

$P-N$ જંકશનને ફોરવર્ડ બાયસ આપવાથી

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo